首页 资讯 质料/装备 挑战5nm单次暴光！ ASML携蔡司研发新一代Hyper NA EUV装备

ASML已经着手研发下一代进步前辈光刻机装备，为将来十年的芯片财产做预备。该公司技能履行副总裁Jos Benschop对于外吐露，ASML和独家光学互助伙伴蔡司（Carl Zeiss）一道启动了5纳米分辩率的Hyper NA光刻机开发，并增补这项技能将足以满意2035年和以后的财产需求。

ASML近来才最先出货业界开始进装备，已经可到达单次暴光8纳米分辩率。相较之下，较旧装备需屡次暴光才能到达近似分辩率。

Benschop指出，公司正与蔡司举行设计研究，方针是实现数值孔径（NA）0.7或者以上的体系，今朝还没有设定详细上市时间表。

数值孔径（NA）是权衡光学体系网络与聚焦光芒能力的要害指标，也是决议电路图样可否邃密投影到晶圆上的要害因素。 当NA越年夜、光波长越短，印刷分辩率就越高。

今朝尺度EUV装备的NA为0.33，最新一代High NA EUV则晋升至0.55。 而ASML正朝向NA 0.7或者超高NA（Hyper NA）迈进，需要从头设计几个要害体系。

ASML今朝已经向英特尔、台积电交付首批High NA EUV装备，不外 Benschop暗示，年夜范围采用仍需时间，财产界必需先验证新体系的机能，并开发配套质料与东西，才能周全启动，「此次新装备的导入与积年来推出的立异东西环境近似，凡是要几年后才会进入年夜量产出阶段。 客户需要进修怎样操作，但我信赖它很快会被用在高产能的芯片制造流程中 。

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